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1 半导体器件光电子器件分规范 GB12565-1990 附录D表D1 正向电压
2 半导体器件光电子器件分规范 GB12565-1990 5.1 电流传输比
3 半导体器件光电子器件分规范 GB12565-1990 附录D表D2 逻辑低电压水平
4 半导体光电耦合器测试方法 SJ/T2215-20155.4 反向击穿电压（二极管）
5 半导体光电耦合器测试方法 SJ/T2215-20155.3 反向电流（二极管）
6 半导体光电耦合器测试方法 SJ/T2215-20155.1 正向电压（输入二极管）
7 半导体光电耦合器测试方法 SJ/T2215-20155.9 电流传输比
8 半导体光电耦合器测试方法 SJ/T2215-20155.8 输出截止电流
9 半导体光电耦合器测试方法 SJ/T2215-20155.6 集电极-发射极击穿电压
10 半导体光电耦合器测试方法SJ/T2215-2015 5.7 集电极-发射极饱和电压
11 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-97方法 2076 X射线检查
12 军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 1201 X射线检查
13 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-97方法 1018 内部气体成份分析
14 军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 1201 内部气体成份分析
15 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-97方法 2072、方法2073 内部目检
