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1 半导体分立器件试验方法MIL-STD-750F:2012 3407 集电极-发射极击穿电压
2 半导体分立器件试验方法MIL-STD-750F:2012 3415 集电极-发射极漏流
3 半导体分立器件试验方法MIL-STD-750F:2012 3405 集电极-发射极饱和压降
4 半导体器件分立器件第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T29332-2012 6.3.5 栅极-发射极漏电流 IGES
5 半导体器件分立器件第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T29332-2012 6.3.3 栅极-发射极阈值电压 VGE(th)
6 半导体器件分立器件第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T29332-2012 6.3.2 集电极-发射极饱和电压 VCE(sat)
7 半导体器件分立器件第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T29332-2012 6.3.4 集电极截止电流 ICES
8 半导体器件分立器件第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T29332-2012 6.3.5 栅极-发射极漏电流(IGES)
9 半导体器件分立器件第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T29332-2012 6.3.3 栅极-发射极阈值电压(VGE(th))
10 半导体器件分立器件第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T29332-2012 6.3.2 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))
11 半导体器件分立器件第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T29332-2012 6.3.4 集电极截止电流(ICES)
12 半导体器件 分立器件第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-20126.3.3 栅极-发射极阈值电压
13 半导体器件 分立器件第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012 6.3.5 栅极漏电流
14 半导体器件 分立器件第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-20126.3.13 结到壳热阻/结到壳瞬态热阻抗
15 半导体器件 分立器件第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-20126.3.2 集电极-发射极饱和电压