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1 器件级静电放电灵敏度测试-人体模式ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2017 人体静电放电模式
2 半导体测试方法测试标准MIL-STD-750F:2012 4011.4 体二极管压降
3 半导体测试方法测试标准MIL-STD-750F:2012 3473.1 体二极管反向恢复时间
4 半导体测试方法测试标准MIL-STD-750F:2012 3473.1 体二极管反向恢复电荷
5 半导体测试方法测试标准MIL-STD-750F:2012 3470.2 单脉冲雪崩能量
6 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 IEC60747-8:2010 6.3.12 反向传输电容
7 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-19973472 开关时间
8 半导体测试方法测试标准MIL-STD-750F:2012 3472.2 开关时间
9 器件级静电放电灵敏度测试-机械模式 ANSI/ESDSTM5.2-2012 机械静电放电模式
10 功率MOSFET栅极串联等效电阻测试方法JESD24-11:1996(R2002) 栅极串联等效电阻
11 半导体测试方法测试标准MIL-STD-750F:2012 3411.1 栅极漏电流
12 半导体测试方法测试标准MIL-STD-750F:2012 3471.3 栅极电荷
13 半导体测试方法测试标准MIL-STD-750F:2012 3415.1 漏极反向电流
14 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-19973407 漏源间反向击穿电压
15 半导体测试方法测试标准MIL-STD-750F:2012 3407.1 漏源间反向击穿电压
